韩国SK海力士推出最快最大容量DRAM内存

韩国SK海力士日前推出业界最先进的DRAM。韩国芯片工程学会会长、韩国西江大学教授范镇旭表示，这是迄今为止最快、可处理最多量的储存器。

韩国芯片企业SK海力士（SK Hynix Semiconductor Inc.）日前推出业界最先进的DRAM内存HBM3。韩国芯片专家表示，这是迄今为止速度最快、容量最大的内存。

SK海力士10月20日宣布，已成功开发第三代DRAM内存HBM3。这款芯片每秒能处理819GB数据，可以在1秒内下载163部全高清电影，与之前的产品HBM2E相比，数据处理的速度提高了78%。

SK海力士表示，HBM3不仅是业界最快的DRAM内存，并且有业界最大容量。这款芯片的推出将有助于巩固该公司在市场的领先地位。

SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，其主要客户包括苹果。

DRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器，是计算机存储器中最常见的类型，可以在很小的物理空间中保存大量数据。

HBM（High bandwidth memory），即高带宽存储器，是一种CPU/GPU内存芯片（即 “RAM”），就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。基于这种设计，信息交换的时间将会缩短。

芯片专家：HBM是韩国半导体的骄傲

“HBM是我国半导体的骄傲！”韩国芯片工程学会会长、韩国西江大学教授范镇旭（Jinwook Burm）10月26日在接受大纪元记者采访时这么说。HBM3是迄今为止最快、可以处理数据量最大的储存器。

据范镇旭介绍，HBM3是可以快速读写大量数据的存储器，是第四代HBM半导体。因之前以HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3进行开发，因此这款半导体被称为第四代。

他介绍说，数据的传递和快递或物流运输相似，HBM是一次性大容量运输，且HBM3每秒可以处理819GB数据。

他表示，随着人工智能半导体的发展，图片处理装置（GPU, Graphical Processing Unit）的使用正在增加，在引领未来产业方面是必不可少的技术。“SK海力士完成了最高速度（819GB/s）和最大容量（24GB）”。

同时，与普通存储器相比，HBM3应用了存储堆积（叠加）这一高难度技术。范镇旭解释说，如果说普通存储器是1层建筑，那么此次推出的HBM3等于12层建筑。

他说，“晶片必须是30微米（厘米的一万分之一）的厚度，这是非常薄的，而且要整齐排列堆放，这是非常困难的技术。此次在HBM技术中实现了最好的性能，虽然其难度很高，但正在发展成为未来经常使用的成套技术。”

他认为，HBM3的开发成功有助于韩国国内技术的发展和确保国际竞争力。他说：“HBM技术被用于人工智能半导体的核心，开发也需要高难度的尖端工程，因此这种技术可以超越HBM，扩大相关技术的发展。”

他还说，虽然HBM技术已经开发出来，但其速度和容量仍呈增加趋势，SK海力士在HBM领域一直保持着领先地位。

此前，韩国三星电子在10月12日宣布开始量产采用极紫外（EUV, Extreme Ultraviolet）技术的14纳米动态随机存取储存器（DRAM）。

三星在14纳米DRAM上使用了5层EUV，实现了最高位密度，同时将整体晶圆生产效率提高了约20%。与上一代DRAM节点相比，14纳米工艺可降低近20%的功耗。

根据最新的DDR5标准显示，三星的14纳米DRAM将开创过去产品所未有的传输速度，速度高达7.2千兆比特每秒（Gbps），是DDR4的两倍多。

范镇旭表示，DDR5是用于中央处理器（CPU, Central Processing Unit）的存储器，GDDR和HBM是用于图片处理装置的存储器。与其说存在优劣，不如说是为了体现必要的特性而制作的不同。

他说：“三星批量生产14纳米EUV DDR5 DRAM是了不起的技术。”“我国存储器的市场占有率之所以超过70%，是因为确保了技术优势。”

他认为，在DRAM上，韩国三星和SK海力士将继续保持优势。“我认为，我国通过确保技术优势，可以克服代工部分的缺点。”他说，“在激烈的竞争中，包括台积电（TSMC）在内的台湾企业和美光（Micron）等想要重新占据半导体霸权的美国企业的挑战非同寻常。”

他预测，半导体领域的前景是光明的，并认为全球半导体供应不足的现象可能只是暂时的。今后，半导体市场将爆发性增长，大规模活跃。

“随着数据将世界转型，电子设备的使用也比过去有所增加，再加上自动驾驶汽车问世，将会产生原本没有的需求。比如数据中心、人工智能、汽车半导体领域的年均增长率在30%至40%左右。”他说。